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O: Oberflächenphysik

O 22: POSTER II

O 22.75: Poster

Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Aufbau eines Hochgeschwindigkeits-Rasterkapazitätsmikroskops — •A. Born, C. Wobbe und R. Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik und Mikrostrukturzentrum, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11 a, D-20355 Hamburg

Um den immensen Speicherbedarf moderner Software zu befriedigen, muß der Speicherplatz der einzelnen informationstragenden Einheit immer kleiner werden. Auf den neuesten Festplatten werden Speicherdichten von mehreren Bit/ µ m² erzielt. Eine Steigerung um mehrere Größenordnungen verspricht der Einsatz von Rastersondenmethoden. Der große Nachteil lag bei ihnen bisher in der relativ geringen Datentransferrate. Das von uns entwickelte Hochgeschwindigkeits-Rasterkapazitätsmikroskop (HS-SCM) erreicht hingegen Datentransferraten von mehreren
100 kBit/s. Der Speichermechanismus basiert auf Ladungsspeicherung in einer Nitrid-Oxid-Silizium Struktur. Diese Art der Speicherung ist reversibel, schnell (100ns) und zerstört die Oberfläche nicht. Ausgelesen werden die gespeicherten Informationen durch eine Kapazitätsmessung, die auf einem Schwingkreis im GHz-Bereich beruht. Dies erlaubt eine Datentransferrate von mehreren MBit/s.