Münster 1997 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si
O 24.4: Talk
Wednesday, March 19, 1997, 16:45–17:00, S 1
Vergleich von klassischer und tight-binding Molekulardynamik des Siliziumwachstums — •P. Klein1, H. Hensel1, H. M. Urbassek1 und Th. Frauenheim2 — 1Fachbereich Physik, Universität Kaiserslautern, Erwin-Schrödinger-Straße, D-67663 Kaiserslautern — 2Institut für Physik, Theoretische Physik III, Technische Universität, D-09107 Chemnitz
Wir studieren das Wachstum auf einer (100)-Si-Oberfläche durch Deposition von 2 eV Si-Atomen mittels der Molekulardynamik-Methode. Zwei unterschiedliche Darstellungen der Si-Si-Wechselwirkung werden verwendet: ein klassisches Potential nach Stillinger und Weber sowie ein quantenmechanisches tight-binding Potential nach Frauenheim et. al. Unser Augenmerk liegt vor allem auf der Struktur des aufgewachsenen Materials; hier beobachten wir klare Unterschiede zwischen den Ergebnissen der beiden Simulationen. Quantitativ zeigen sich diese Unterschiede in der Teilchendichte, Paarverteilung, Bindungs- und Diederwinkelverteilung sowie in der Ringstatistik. Wir schließen daraus, daß das klassische Potential zu inflexibel ist um Korrelationen von mittlerer Reichweite in Si zu beschreiben.