Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si

O 24.8: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 17:45–18:00, S 1

Analyse des heteroepitaktischen Wachstums von Ge auf Si(111) mittels Photoelektronenholographie — •S. Dreiner¹, C. Westphal², F. Sökeland¹ und H. Zacharias² — ¹Institut für Laser- und Plasmaphysik, Universität-GH Essen, Universitätsstr. 5, D-45141 Essen — ²Physikalisches Institut, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster

Das Wachstum von Ge auf Si(111) wird wesentlich durch die 4.2 % größere Gitterkonstante bestimmt. Dies führt nach etwa 3 ML laminarem Schichtwachstum zur Bildung von dreidimensionalen Inseln. Der Beginn des Inselwachstums kann durch Anwesenheit einer dritten Substanz, eines Surfactanten, zu höheren Ge-Bedeckungen (ca. 8-10 ML) verzögert werden [1].
Winkelaufgelöste Photoelektronen-Beugungsbilder bei konstanter Photonenenergie (Al K_α) zeigen unterschiedliche Intensitätsverteilungen für Ge-Filme mit und ohne Surfactant (Sb). Um aus den gemessenen Beugungsintensitäten strukturelle Information zu gewinnen, wird das Beugungsbild als Hologramm der nächsten Nachbaratome des Photoemitters aufgefaßt. In einfachster Näherung kann die Fouriertransformation des Beugungsbildes die lateralen Koordinaten der Nachbaratome liefern.

[1] M. Horn-von Hoegen, M. Copel, J.C. Tsang, M.C. Reuter, R.M. Tromp, Phys. Rev. B 50 10811 (1994)