Münster 1997 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si
O 24.8: Talk
Wednesday, March 19, 1997, 17:45–18:00, S 1
Analyse des heteroepitaktischen Wachstums von Ge auf Si(111) mittels Photoelektronenholographie — •S. Dreiner1, C. Westphal2, F. Sökeland1 und H. Zacharias2 — 1Institut für Laser- und Plasmaphysik, Universität-GH Essen, Universitätsstr. 5, D-45141 Essen — 2Physikalisches Institut, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster
Das Wachstum von Ge auf Si(111) wird wesentlich durch die 4.2 % größere Gitterkonstante bestimmt.
Dies führt nach etwa 3 ML laminarem Schichtwachstum
zur Bildung von dreidimensionalen Inseln. Der Beginn des Inselwachstums kann durch Anwesenheit einer
dritten Substanz, eines Surfactanten, zu höheren Ge-Bedeckungen (ca. 8-10 ML) verzögert werden [1].
Winkelaufgelöste Photoelektronen-Beugungsbilder bei konstanter Photonenenergie
(Al Kα) zeigen unterschiedliche Intensitätsverteilungen für Ge-Filme mit und ohne Surfactant (Sb).
Um aus den gemessenen Beugungsintensitäten strukturelle Information zu gewinnen,
wird das Beugungsbild als Hologramm der nächsten Nachbaratome des Photoemitters aufgefaßt.
In einfachster Näherung kann die Fouriertransformation des Beugungsbildes die lateralen Koordinaten der
Nachbaratome liefern.
[1] M. Horn-von Hoegen, M. Copel, J.C. Tsang, M.C. Reuter, R.M. Tromp, Phys. Rev. B 50 10811 (1994)