Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.25: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Wechselwirkung von Ethen und Xenon mit der Rh(111) Fl"ache bei tiefen Temperaturen — •M. Dr"ager, T. Wiersberg, J. Kandler, and K. Wandelt — Institut f"ur Phys. und Theor. Chemie, Universit"at Bonn, Wegelerstr. 12, 53115 Bonn

Die Wechselwirkung von Ethen und Ethylidin mit der Rhodium(111)-Oberfl"ache wurde mit Hilfe von UPS, Xe-TDS und PAX (Photoemission von Adsorbiertem Xenon) in Abh"angigkeit von der Ethendosis untersucht. Ethen wurde bei 60K adsorbiert und die Monolagenkalibration "uber charakteristische Peakverschiebungen im UPS-HeI Spektrum vorgenommen. Die Position von PAX-Signalen der Xe-Sondenatome verschiebt mit zunehmender Ethen-Bedeckung zu h"oheren Energien, jedoch um einen wesentlich geringerem Betrag als die photoelektrisch ermittelte Austrittsarbeitserniedrigung erwarten lie"se. Ein solches Verhalten kann geometrisch erkl"art werden.
Xe-TDS von der sauberen Fl"ache zeigt eine Abnahme der Desorptionstemperatur aus der ersten Lage mit steigender Xenon-Bedeckung. Mit Population der zweiten Lage Xenon steigt die Desorptionstemperatur der ersten Lage jedoch "uber einen engen Dosisbereich schnell wieder an.
Mit steigender Ethen-Bedeckung wird Xenon in der ersten Lage durch laterale Wechselwirkung mit Ethenmolek"ulen zunehmend schw"acher an Rhodium gebunden. Unterhalb von 1 ML Ethen bilden sich mit steigender Xenon-Dosis zun"achst Xenon-Cluster; erst oberhalb von 0.6 ML Ethen adsorbiert Xenon auf Ethen.