Münster 1997 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 6: POSTER I
O 6.68: Poster
Monday, March 17, 1997, 14:15–15:45, AULA
Zeitaufgel"oste Hochtemperatur-STM-Untersuchung des CVD-Wachstums von Eisensiliziden im Monolagenbereich — •V. Dorna, A. Schweigstill, K. Resh"oft, P. Kostall, and U. K"ohler — Institut f"ur Experimentalphysik, Universit"at Kiel, Olshausenstr. 40, 24098 Kiel
Um die erste Phase der Bildung von Eisensiliziden aus der Gasphase auf
Si(111) im Realraum zu untersuchen, wurde die reaktive Abscheidung von
Eisencarbonyl (Fe(CO)5) untersucht. Bei Temperaturen bis 600∘C
wurden dazu in situ mittels STM zeitaufgel"oste Messungen durchgef"uhrt,
was direkte Informationen "uber die Wachstumskinetik liefert.
Trotz einhergehender intensiven Abscheidung von CO und anderer Spezies auf
der Oberfl"ache ist das Wachstum den gegen"ubergestellten MBE-Messungen in
vielen Punkten sehr "ahnlich. W"ahrend bei h"oheren Temperaturen nur geringe
Unterschiede sichtbar werden, sind bei niedrigen Temperaturen jedoch die
Diffusionprozesse deutlich st"arker gehemmt. Als zweiter Teilaspekt ist die
wechselseitige Abscheidung von Eisencarbonyl und Disilan (Si2H6)
untersucht worden, was f"ur den "Ubergang auch zu h"oheren Bedeckungen
homogener Zusammensetzung vonn"oten ist. Silizium ersetzt hierbei das vorher
f"ur die Entstehung von Silizidinseln verbrauchte Substratmaterial und tr"agt
damit zum Ausheilen der Oberfl"ache bei. Im umgekehrten Fall wird vornehmlich
Silizium aus den vorher nukleierten Inseln f"ur die Silizidbildung verbraucht.