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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.68: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Zeitaufgel"oste Hochtemperatur-STM-Untersuchung des CVD-Wachstums von Eisensiliziden im Monolagenbereich — •V. Dorna, A. Schweigstill, K. Resh"oft, P. Kostall, and U. K"ohler — Institut f"ur Experimentalphysik, Universit"at Kiel, Olshausenstr. 40, 24098 Kiel

 
Um die erste Phase der Bildung von Eisensiliziden aus der Gasphase auf Si(111) im Realraum zu untersuchen, wurde die reaktive Abscheidung von Eisencarbonyl (Fe(CO)5) untersucht. Bei Temperaturen bis 600C wurden dazu in situ mittels STM zeitaufgel"oste Messungen durchgef"uhrt, was direkte Informationen "uber die Wachstumskinetik liefert. Trotz einhergehender intensiven Abscheidung von CO und anderer Spezies auf der Oberfl"ache ist das Wachstum den gegen"ubergestellten MBE-Messungen in vielen Punkten sehr "ahnlich. W"ahrend bei h"oheren Temperaturen nur geringe Unterschiede sichtbar werden, sind bei niedrigen Temperaturen jedoch die Diffusionprozesse deutlich st"arker gehemmt. Als zweiter Teilaspekt ist die wechselseitige Abscheidung von Eisencarbonyl und Disilan (Si2H6) untersucht worden, was f"ur den "Ubergang auch zu h"oheren Bedeckungen homogener Zusammensetzung vonn"oten ist. Silizium ersetzt hierbei das vorher f"ur die Entstehung von Silizidinseln verbrauchte Substratmaterial und tr"agt damit zum Ausheilen der Oberfl"ache bei. Im umgekehrten Fall wird vornehmlich Silizium aus den vorher nukleierten Inseln f"ur die Silizidbildung verbraucht.

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