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TT: Tiefe Temperaturen
TT 14: Postersitzung II: Korrelierte Systeme(1-40), Theorie der Supraleitung(41-50), Metall-Isolator-Übergang, Lokalisierung(51-66), Niederdimensionale Systeme, Quantenhalleffekt(67-80), Pinning, kritische Ströme und Vortexdynamik(81-93), HTSL-Drähte und -Bänder(94-98), Massive HTSL(99-104), supraleitende Borkarbide(105-109)
TT 14.62: Poster
Mittwoch, 19. März 1997, 15:00–18:30, Z1
Elektronische Struktur von V2O5 : Metall-Isolator-Übergang? — •V. Eyert1 und K.-H. Höck2 — 1Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Straße 100, D-14109 Berlin — 2Institut für Physik, Universität Augsburg, Memminger Str. 6, D-86135 Augsburg
Es werden die Ergebnisse der ersten voll selbst-konsistenten first principles
Rechnungen für halbleitendes Vanadiumpentoxid vorgestellt. Die
skalar-relativistischen ASW Rechnungen basieren auf der Dichtefunktionaltheorie
und der lokalen Dichtenäherung. Mit Hilfe eines neuen Algorithmus konnte eine
optimale Packung der Atomkugeln in der offenen Schichtstruktur von
V2O5 erreicht werden. Der Rechenaufwand wurde durch ein neues
Verfahren zur Konvergenzbeschleunigung minimiert. Erstmalig werden chemische
Bindungen im Rahmen einer ab initio Berechnung der Crystal Orbital
Overlap Population (COOP) untersucht.
Die elektronischen Eigenschaften der besetzten Zustände von V2O5
werden durch die Hybridisierung von kristallfeldaufgespaltenen V d - und
Sauerstoff p -Zuständen dominiert. Die Leitungsbandunterkante besteht
dagegen allein aus V 3 dxy -Orbitalen. Eine detaillierte Analyse der
Bindungsverhältnisse mit Hilfe der COOP unterstreicht die Bedeutung der
V 3d – O 2p -Bindung.
Der Einfluß der Gitterfreiheitsgrade auf die Ausbildung des halbleitenden
Gaps wird im Rahmen der Simulation eines Metall-Isolator-Übergangs
untersucht.