Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 16: GaN I
Dienstag, 24. März 1998, 10:30–13:00, H15
![]() |
10:30 | HL 16.1 | Optische Verstärkung in kubischen GaN Epischichten — •J. Holst, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser, B. Schöttker, D.J. As, D. Schikora und K. Lischka |
![]() |
10:45 | HL 16.2 | Wachstum und Charakterisierung von InGaN-Schichten auf GaN — •A. Ramakrishnan, D. Behr, N. Herres, U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, S. Müller, H. Obloh und J. Wagner |
![]() |
11:00 | HL 16.3 | Perspektiven für GaN-basierende Heterostruktur-Bauelemente — •F. Compagnone, G. Zandler, J. A. Majewsky, M. Städele, R. Oberhuber und P. Vogl |
![]() |
11:15 | HL 16.4 | "Uber die Natur der gelben Lumineszenz: Vergleichende ortsaufgel"oste Kathodolumineszenzmessungen an selbstorganisierten GaN-Pyramiden und planaren GaN-Epischichten — •D. Rudloff, F. Bertram, T. Riemann, M. Schmidt, J. Christen, L. Eckey, A. Hoffmann, and K. Hiramatsu |
![]() |
11:30 | HL 16.5 | Elektrische Eigenschaften von GaN nach Mg+- und Ca+-Ionenimplantation — •A. Wenzel, B. Mensching, C. Liu und B. Rauschenbach |
![]() |
11:45 | HL 16.6 |
Optische Charakterisierung von InGaN-Heterostrukturen mit Photothermischer Deflektionsspektroskopie — •C. R. Miskys, J. W. Kim, O. Ambacher, M. Stutzmann, F. Scholz und J. Off |
![]() |
12:00 | HL 16.7 | Gitterplatzbestimmung von ionenimplantiertem Na in GaN und AlN — •M. Dalmer, M. Restle, H. Hofsäss, M.D. Bremser und R.F. Davis |
![]() |
12:15 | HL 16.8 | Gitterplatzbestimmung und Lumineszenzverhalten der Seltenen Erden in Galliumnitrid — •U. Vetter, M. Dalmer, C. Ronning, A. Stötzler, H. Hofsäss, M.D. Bremser und R.F. Davis |
![]() |
12:30 | HL 16.9 | n-Dotierung von GaN und AlGaN für elektrische Bauelemente — •R Dimitrov, H.P. Fesl, L. Görgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, W. Rieger und G. Tränkle |
![]() |
12:45 | HL 16.10 | Direkte Beobachtung von Nanoclustern in MBE-InGaN mittels hoch-ortsaufgelöster Kathodolumineszenz–Mikroskopie — •F. Bertram, M. Schmidt, T. Riemann, J. Christen, T. Boettcher, S. Einfeldt und D. Hommel |