Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.128: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Elektronische und optische Eigenschaften von GaAs(100)-passivierten Oberflächen — •A. Ivankov und W. Bauhofer — AB Materialien der Mikroelektronik, TU Hamburg–Harburg, Martin–Leuschel–Ring 16, D–21073 Hamburg

Mit der Kelvin-Methode wurde die Änderung der Austrittsarbeit von n- und p-GaAs(100)-Oberflächen nach der Passivierung in Na₂S bzw. (NH₄)₂S–Lösungen für verschiedene Lösungsmittel untersucht. Die Lösungsmittel haben einen starken Einfluß auf die elektronischen Eigenschaften der passivierten GaAs-Oberflächen. Die optischen Eigenschaften von GaAs nach der Passivierung in verschiedenen sulfidischen Lösungen werden verglichen.