Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.27: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Herstellung und Charakterisierung von β-(Ga,In)N auf
GaN/GaAs(001)-Schichtstrukturen — •T. Frey1, T. Simonsmeier2, U. Köhler2, B. Schöttker2, C. Wang2, D.J. As2, D. Schikora2 und K. Lischka2 — 1Universität GH Paderborn, FB6 Physik, 33095 Paderborn — 2Pb
Es wurden mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie kubische GaN-Schichten auf GaAs(001) abgeschieden und die Wachstumsparameter hinsichtlich GaN-Keimbidung und Schichtwachstum optimiert. Unter stöchiometrischen Bedingungen hergestellte GaN-Schichten zeigen dabei im PL-Spektrum einen dominierenden exzitonischen Übergang mit einer FWHM von ca. 20meV. Auf diesen Pufferschichten wurde kubisches (Ga,In)N mit variablem In-Gehalt hergestellt. Die Gitterkonstante von kubischem InN konnte mittels RHEED zu 0,504nm (aGaN=0,452nm) ermittelt werden. Der In-Gehalt der Schichten wurde mit quantitativen EDX- und HRXRD- ermittelt. Lumineszenzspektren dieser Mischkristalle werden von einer Emissionslinie mit einer FWHM von ca. 200-500meV dominiert. Darauf aufbauend wurden erste GaN/(Ga,In)N-Doppelheterostrukturen hergestellt und ihre optischen und strukturellen Eigenschaften untersucht