Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.48: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Wasserstoff Einbau und Effusion aus MOVPE-ZnSe — •B. Hahn¹, H. Preis¹, W. Gebhardt¹, J. Krause² und U. Blieske² — ¹Institut für Festkörperphysik,Universität Regensburg — ²Hahn-Meitner Institut Berlin

Ein bisher ungelöstes Problem bei der Herstellung von II-VI- Halbleitern für optoelektronische Anwendungen mit MOVPE ist die Wasserstoffpassivierung flacher Akzeptoren. Zur Aktivierung ist ein ex situ Temperschritt nötig. Wir untersuchten die Wasserstoffeffusionskinetik aus MOVPE-ZnSe Schichten durch die Messung von Effusionstransienten mit linearen Heizrampen in einem UHV-Rezipienten.

Zusätzlich wurde der Einbau von Wasserstoff mittels NRA (Nuclear Reaction Analysis)- Tiefenprofilen studiert. Die Versuche zeigen ein Abhängigkeiten der Wasserstoffkonzentration in den ZnSe Schichten von Wachstumstemperatur, Stöchiometrie und verwendeten MOVPE-Precursoren. Durch die geeignete Wahl der Wachstumsparameter kann der Wasserstoffgehalt der Schichten über mehrere Größenordnungen variiert werden.