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HL: Halbleiterphysik

HL 23: GaN II

HL 23.13: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 19:00–19:15, H15

Epitaxie von GaN auf Si-Substraten — •A. Strittmatter¹, A. Krost¹, D. Bimberg¹, J. Bläsing², Th. Hempel² und J. Christen² — ¹TU Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Otto-v.-Guericke Universität, Inst. f. Exp. Physik, PF4120, 39016 Magdeburg

Wir präsentieren Ergebnisse zur Untersuchung der Epitaxie von GaN-Schichten auf Si-Substraten mittels LP-MOCVD. Dabei wurden sowohl der Einfluß verschiedener Bufferschichten als auch strukturierter Substrate untersucht. Wir demonstrieren, daß AlAs-Bufferschichten günstigere Voraussetzungen als GaAs oder AlN Bufferschichten f|r das GaN Wachstum schaffen, auf Grund der hvheren thermischen Stabilität von AlAs gegenüber GaAs und der Vermeidung der Siliziumnitridbildung auf der Si-Oberfläche während der Nukleationsphase. Gesputterte ZnO Schichten auf Si-Oberflächen bieten die Mvglichkeit des GaN-Wachstums auf Si ohne die abscheidung einer Niedertemperaturbufferschicht aufgrund der geringen Gitterfehlanpassung zwischen ZnO und GaN.