Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.17: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Dekomposition, Ordnung und Polytypie in heteroepitaktischen (Al,Ga)N Schichten: Transmissionselektronenmikroskopie und Kathodolumineszenz — •Martin Albrecht¹, Silke Christiansen¹, Carlo Zanotti-Fregonara², Giancarlo Salviati², Helmut Angerer³, Roman Dimitrov³, Oliver Ambacher³, Martin Stutzmann³ und Horst P. Strunk¹ — ¹Universitaet Erlangen-Nuernberg, Institut für Werkstoffwissenschaften-Mikrocharakterisierung, Erlangen — ²CNR-MASPEC, Parma, Italien — ³Walter-Schottky-Institut, TU München, Garching

Wir berichten über eine kombinierte transmissionselektronenmikopische (TEM) und Kathodolumineszenzstudie (CL) zu Ordnungsphänomenen und Dekomposition in heteroepitaktisch gewachsenen AlGaN-Schichten. Die Schichten werdem mittels plasmainduzierter Molekularstrahlepitaxie bei 850^∘C auf Al₂O₃(0001)Substraten abgeschieden. Hochauflösende TEM von Legierungen mit Al-Konzentrationen zwischen 30 Ueberstruktur parallel zur c-Achse, die durch eine Aufeinanderfolge von Al- reichen und Ga-reichen Legierungen gekennzeichnet ist. Die Periodizität dieser Struktur liegt zwischen 1,5 nm und 1 nm und ist abhängig von der Zusammensetzung. Aus Kathodolumineszenzuntersuchungen schliessen wir eine Dekomposition in AlN und GaN Schichten. Mit wachsender Al-Konzentration nimmt der Anteil kubischer Phase ebenfalls zu. Kubische Einschlüsse zeigen eine erhöte Al-Konzentration. Wir diskutieren diese Ergebnisse im Rhamen eines thermodynamischen Modells, daßden Einfluss von Verzerrungen und der Wachstumskinetik berücksichtigt.