Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.38: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Optische-DLTS-Untersuchungen an InAs Monolagen im GaAs — •R. Pickenhain, H. Schmidt und V. Gottschalch — Fak. für Physik und Chemie, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig
GaAs MOVPE Proben, welche 0.35 bis 1.5 Monolagen (ML) InAs enthalten, wurden
mittels DLTS untersucht. Es wurde ein donatorartiges Störstellenniveau
MLX mit einer Bindungsenergie von (56 ± 2) meV unterhalb des
Leitungsbandes gefunden. Der Einfangquerschnitt von MLX für Elektronen
erreicht ein Maximum von σn = 10−10 cm−3 für eine ML InAs,
die Konzentration von MLX liegt bei 3*1014 cm−3.
Optische-DLTS-Untersuchungen gestatten die Messung des Photoquerschnitts
σno von MLX bei 4 K. Es ergibt sich eine
Schwellenenergie von zirka 700 meV für die optische Emission von
Elektronen aus dem Zustand MLX ins Leitungsband. Weiterhin erscheinen im
Photoquerschnitt σno Resonanzlinien, deren Position hν von der
ML-Zahl abhängt (h ν = 1.463 eV, für eine ML InAs).
Diese Werte entsprechen den Photolumineszenspeaks /1/ bzw. dem Einsatz der
Absorption (Photostrommessungen /2/). Die kombinierte Zustandsdichte
für das System InAs1GaAs10 wird mittels Pseudopotentialmethode
berechnet und zur Interpretation der gemessenen Daten herangezogen.
/1/ R.Schwabe et al., J.Appl.Phys.77, 6295 (1995)
/2/ R.Pickenhain et al., phys.stat.sol (a) 164/1 R3 (1997)