Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.5: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Elektrooptische Untersuchungen höherer Bandübergänge in quaternären III-V Halbleitern InGaAsP — •C. Reh und G. Weiser — Fachbereich Physik der Philipps-Universität Marburg

Mit Hilfe von hochauflösender Elektroreflexions- (1-5.5eV) und Reflexionsspektroskopie (1-10eV) wurden die kritischen Punkte der Zustandsdichte von In_1−xGa_xAs_yP_1−y Volumenhalbleitern oberhalb des fundamentalen Gaps bei tiefen Temperaturen untersucht. Die Signalhöhe der Elektroreflexionsspektren bei hohen Energien ist sehr viel geringer als die Signalhöhe am fundamentalen Gap E₀, was auf eine größere Streurate hinweist. Mit Hilfe der Kramers-Kronig Relation wurden ε₂- und Δε₂-Spektren berechnet und deren Eigenschaften analysiert. Von besonderem Interesse waren die Verschiebung der Bandlücke, E₁ am L-Punkt und der zweite direkte Übergang E′₀ am Γ-Punkt sowie die Variation der Spinbahnaufspaltungen (Δ₀, Δ₁) in Γ und L im Mischungssystem.
Die Ergebnisse werden mit Literaturdaten verglichen.