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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.53: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

LVM-Untersuchungen an Bor-Komplexen in VGF-GaAs — •Günter Gärtner¹ und Carola Hannig² — ¹TU Bergakademie Freiberg, Institut für Experimentelle Physik, Silbermannstr. 1, 09596 Freiberg — ²TU Bergakademie Freiberg, Institut für Nichteisenmetallurgie und Reinststoffe, Leipziger Str. 23, 09596 Freiberg

FTIR-Absorptionsmessungen an versetzungsarmen undotierten GaAs-Einkristallen, die nach dem Vertical-Gradient-Freeze Verfahren hergestellt wurden, werden vorgestellt. Neben den bekannten LVM-Linien für Kohlenstoff und Sauerstoff werden speziell im Wellenzahlbereich 1200 bis 1500 cm-1 mehrere Lokalmoden beobachtet, die drei verschiedenen Bor-Komplexen zugeordnet werden können. Durch den Einsatz von isotopenreinem Bortrioxid bei der Kristallzüchtung konnte eindeutig nachgewiesen werden, daß zwei dieser Komplexe aus dem Bortrioxid der Abdeckschmelze eingetragen werden und außer Bor wahrscheinlich auch Sauerstoff enthalten. Der Einfluß der Züchtungsbedingungen auf die Komplexbildung und die Korrelation zu anderen Störstellen wird diskutiert.