Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 27: GaN III
HL 27.4: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 11:15–11:30, H15
Raumtemperatur-Photolumineszenz von GaN Volumenkristallen — •M. Steube1, K. Reimann1, D. Fröhlich1, U. Heckers2 und H. Jacobs2 — 1Institut für Physik, Universität Dortmund, 44221 Dortmund — 2Institut für Chemie, Universität Dortmund, 44221 Dortmund
Hexagonale GaN Volumenkristalle wurden aus einer Lösung von Gallium und Stickstoff in Natrium gezogen. Bei Raumtemperatur wurden mit einem 325 nm HeCd-Laser intensitätsabhängige Photolumineszenzuntersuchungen an diesen Kristallen durchgeführt. Neben der gelben Lumineszenz (500-700 nm) ist eine sehr starke ultraviolette Resonanz mit einer Breite von ca. 50 meV bei etwa 3,4 eV zu beobachten. Durch Vergleich von Spektren mit verschiedenen Anregungsintensitäten schließt man, daß die UV-Lumineszenz auf den Zerfall freier Exzitonen oder auf direkte Band-Band-Übergänge zurückzuführen ist. Temperatureffekte aufgrund der Aufheizung der Probe wurden nicht beobachtet. Der Nachweis der elektronischen Natur der UV-Lumineszenz zeigt die gute Qualität der Proben. Ein entscheidender Fortschritt bei der Probengröße würde eine neue Perspektive für die Herstellung von GaN Wafern für die Homoepitaxie eröffnen.