Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 34: Quantenpunkte II
HL 34.3: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 17:00–17:15, H1
— •M. Zimmer1, J. Sandmann1, G. von Plessen1, J. Feldmann1, H. Lipsanen2 und J. Ahopelto3 — 1Sektion Physik, LMU München, Amalienstr. 54, 80799 München — 2Optoelectr. Laboratory, Helsinki Univ. of Technology, Finnland — 3VTT Electronics, 02150 Espoo, Finnland
Um niedrige Laserschwellströme und hohe Modulationsfrequenzen von elektrisch gepumpten Quantenpunktlasern zu erreichen, ist eine schnelle Relaxation der elektrisch injizierten Ladungsträger zwischen den diskreten Quantenpunktniveaus notwendig. Wir
untersuchen die Ladungsträgerrelaxation in verspannungsinduzierten Quantenpunkten, die durch selbstorganisiertes Wachstum von InP-Inseln auf einer InGaAs/GaAs- Quantenfilmstruktur hergestellt wurden und sowohl in Elektrolumineszenz- als auch in Photolumineszenzspektren bis zu fünf diskrete Übergänge mit geringer inhomogener Verbreiterung aufweisen. Die Elektrolumineszenz wird als Funktion der Injektionsstromdichte und damit des Füllzustandes der Zustände untersucht. Die Ergebnisse aus dieser Analyse werden mit der in zeitaufgelösten Photolumineszenzexperimenten bestimmten Relaxationsdynamik verglichen.