Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 8: Halbleiterlaser
Montag, 23. März 1998, 16:00–19:30, H16
16:00 | HL 8.1 | Einflu"s von Transversalmoden-Effekten auf das Sub-Pikosekunden- Schalten von Halbleiterlasern mit Vertikalresonator — •O. D. M"ucke, S. G. Hense, and M. Wegener | |
16:15 | HL 8.2 | Übergitter-DFB-Laser im Materialsystem InGaAs(P)-InP — •R. Schreiner, J. Wiedmann, M. Geiger, J. Porsche, M. Jetter, K. Wünstel, F. Scholz und H. Schweizer | |
16:30 | HL 8.3 | Raum-zeitliche Dynamik von Breitstreifen-Halbleiterlasern — •T. Burkhard, I. Fischer und W. Elsäßer | |
16:45 | HL 8.4 | Wachstum von Multiquantenbarrieren in AlGaInP Laserdioden mittels MOVPE — •P. Raisch, R. Winterhoff, W. Wagner, H. Schweizer und F. Scholz | |
17:00 | HL 8.5 |
Oberflächenemittierende (GaIn)As/Ga(PAs) Laserstrukturen mit optimierter Dynamik und großer Normalmodenkopplung — •C. Ellmers, M. Hofmann, D. Karaiskaj, W.W. Rühle, S. Leu und W. Stolz |
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17:15 | HL 8.6 | Maximale Modulationsfrequenz von Halbleiter–Mikroresonatorlasern — •Michael Oestreich, Daniel Hägele, Martin Hofmann , Andreas Hansch, Jill D. Berger, Hyatt M. Gibbs, Sascha Hallstein und Wolfgang W. Rühle | |
17:30 | HL 8.7 | Spannungsrelaxation und Defekterzeugung in Hochleistungslaserdiodenarrays — •Arndt Jaeger, Jens W. Tomm und Arthur Bärwolff | |
17:45 | HL 8.8 | Raum-zeitliche Komplexität in Halbleiterlasern durch transversale und longitudinale Multimoden-Instabilitäten — •M. Münkel, M. Ziegler, I. Fischer, O. Hess und F. Kaiser | |
18:00 | HL 8.9 | Wärmebilanz von Diodenlaserarrays im Hochleitungsbetrieb — •Jens W. Tomm, Arthur Bärwolff, Arndt Jaeger und Thomas Elsaesser | |
18:15 | HL 8.10 | Modellierung der Lichtpulsdynamik von modengekoppelten SPIKE-Mehrsegmentlasern — •T. Bert, G. Jennemann, M.O. Ziegler, S. Uhl, M. Aziz, I. Fischer, E. Lach, and W. Elsässer | |
18:30 | HL 8.11 | Verstärkungsgekoppelte InGaAs/GaAs DFB Laser mit lateralem Gitter — •M. Kamp und A. Forchel | |
18:45 | HL 8.12 | Kurzpulserzeugung mittels modengekoppelter Mehrsegmenthalbleiterlaser — •S. Uhl, M.O. Ziegler, M. Serényi, G. Jennemann, T. Bert, M. Aziz, I. Fischer und W. Elsäßer | |
19:00 | HL 8.13 | Einflu"s des Ladungstr"ager-Confinements auf die Temperaturabh"angigkeit der Laserschwelle von GaInAs/AlGaAs-Lasern — •F. Sch"afer, B. Mayer, J. P. Reithmaier, and A. Forchel | |
19:15 | HL 8.14 | Mittels fokussierter Ionenstrahltechnologie hergestellte, lateral verstärkungsgekoppelte InP-DFB-Laserdioden — •H. König, J. P. Reithmaier, A. Forchel, J. L. Gentner und L. Goldstein | |