Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 14: Adsorption an Oberfl
ächen (II)

O 14.1: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 11:15–11:30, H36

Oxidation von GaAs(100) — •Laurens Verheij — IGV, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Die kontrollierte Oxidation einer GaAs(100)-Fläche wird durch eine sauerstoffinduzierte Defektbildung kompliziert, da die Defektbildung sehr empfindlich auf die sich ändernden Bedingungen während der Sauerstoffadsorption reagiert. Diese Defekte, erzeugt durch Sauerstoffmoleküle, ermöglichen es, Sauerstoff atomar auf der Fläche zu adsorbieren. Die maximale Defektdichte Θ_D^max, die durch solch eine Reaktion erzeugt werden kann, hängt von der Temperatur ab. Mittels He-streuung kann man die Defekte direkt beobachten ab 430 K und damit Θ_D^max(T=440K) zu 0.01 abschätzen. Unterhalb von 440 K macht die Temperaturabhängigkeit von Θ_D^max sich bemerkbar durch eine mit abnehmender Temperatur sinkende Wahrscheinlichkeit für atomare Adsorption. Nach jedem Adsorptions-/Desorptionszyklus wird die Fläche rauher. Die durch As₄- und Ga₂O-Desorption entstehenden Defekte haben, im Gegensatz zu den O₂-induzierten, keinen Einfluß auf die Adsorption von atomarem Sauerstoff.