Regensburg 1998 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 15: Oberfl
ächenreaktionen (I)
O 15.6: Talk
Tuesday, March 24, 1998, 12:30–12:45, H37
Grenzflächenreaktionen beim Wachstum von Ag auf reinen und mit H2S präparierten InP(001) Oberflächen — •S. Sloboshanin1, K. Gebhardt2, K. Horn3, J.A. Schaefer1 und T. Chassé2 — 1TU Ilmenau, Inst. f. Physik, Pf. 100565, 98684 Ilmenau — 2Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Leipzig, 04103 Leipzig — 3Fritz-Haber-Institut, Berlin
Wir untersuchten mit Photoelektronenspektroskopie mittels
Synchrotronstrahlungsanregung
(SXPS) und Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED)
die Anfangsstadien des
Wachstums von
Silber auf reinen und mit Schwefel belegten InP(001) Oberflächen.
Dazu wurden InP(001)
Oberflächen durch Sputtern und Heizen präpariert, wobei (4x2) und (1x1)
Strukturen
eingestellt wurden. Die Schwefelbelegung geschah durch H2S
Gasexposition bei
Raumtemperatur. Durch Anpassung der In4d-, P2p-, und S2p-Komponenten
schließen wir auf
die Reaktionsmechanismen. Im Vergleich zur reinen Oberfläche beobachten
wir bei
Schwefelbelegung eine Abnahme der Reaktion zwischen In und Ag.
Beim Anlassen entsteht
eine Indium/Schwefel- Verbindung, die an der Grenzfläche verbleibt.
Ein weiteres Indiz für die
Passivierung der Grenzfläche ist der starke Intensitätsabfall der
Indium-Substrat-Komponente.
Diese Arbeit wurde durch das BMBF (05 622 OLA3) unterstützt.