Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 15: Oberfl
ächenreaktionen (I)

O 15.6: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 12:30–12:45, H37

Grenzflächenreaktionen beim Wachstum von Ag auf reinen und mit H₂S präparierten InP(001) Oberflächen — •S. Sloboshanin¹, K. Gebhardt², K. Horn³, J.A. Schaefer¹ und T. Chassé² — ¹TU Ilmenau, Inst. f. Physik, Pf. 100565, 98684 Ilmenau — ²Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Leipzig, 04103 Leipzig — ³Fritz-Haber-Institut, Berlin

Wir untersuchten mit Photoelektronenspektroskopie mittels Synchrotronstrahlungsanregung (SXPS) und Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) die Anfangsstadien des Wachstums von Silber auf reinen und mit Schwefel belegten InP(001) Oberflächen. Dazu wurden InP(001) Oberflächen durch Sputtern und Heizen präpariert, wobei (4x2) und (1x1) Strukturen eingestellt wurden. Die Schwefelbelegung geschah durch H₂S Gasexposition bei Raumtemperatur. Durch Anpassung der In4d-, P2p-, und S2p-Komponenten schließen wir auf die Reaktionsmechanismen. Im Vergleich zur reinen Oberfläche beobachten wir bei Schwefelbelegung eine Abnahme der Reaktion zwischen In und Ag. Beim Anlassen entsteht eine Indium/Schwefel- Verbindung, die an der Grenzfläche verbleibt. Ein weiteres Indiz für die Passivierung der Grenzfläche ist der starke Intensitätsabfall der Indium-Substrat-Komponente.
Diese Arbeit wurde durch das BMBF (05 622 OLA3) unterstützt.