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Regensburg 1998 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 27: Adsorption an Oberfl
ächen (V)

O 27.4: Talk

Thursday, March 26, 1998, 12:00–12:15, H36

Adsorbatinduzierte Selbststrukturierung von vicinalem Ge(100) — •Chr. Tegenkamp, M. Horn von Hoegen, F. Meyer zu Heringdorf und H. Pfnür — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover

Vicinale Ge(100)-[011] Oberflächen mit einem Fehlwinkel von 5.4 weisen im Gegensatz zu entsprechend fehlgeneigten Si Oberflächen eine Mischung aus Einzel(SA,SB)– und Doppelstufen(DB) auf. Um eine (mögliche) Doppelstufenbildung beim Ge zu generieren, wurde das Adsorbatverhalten von Ge, Au, H und Si mittels hochauflösender Elektronenbeugung (SPA-LEED) untersucht. Während bei der Adsorption von atomarem H bei 370 C keine morphologische Veränderung der vicinalen Ge(100) Oberfläche festzustellen war, bildeten sich durch MBE von Ge bei Raumtemperatur [113]-Facetten mit 4-zähliger Symmetrie aus, koexistierend mit den (2× 1) Rotationsdomänen der (100) Terassen. Ein nachträgliches Angebot von 0.7 ML Au bei 460 C führte zu einer Auslöschung der Facettenreflexe und zur Ausbildung einer (4 × x) Überstruktur. Ein Übergang zu einer reinen Doppelstufenfolge auf Ge(100)-[011] scheint durch Zugabe von etwa 1 ML Si zu gelingen, die pseudomorph aufwächst. Nach Adsorption bei Raumtemperatur und Tempern der Oberfläche bis 380 C konnten nur noch entsprechende Doppelstufenaufspaltungen der Hauptstrukturreflexe sowie das Vorhandensein einer (2 × 1) Domäne beobachtet werden.

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