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O: Oberflächenphysik

O 27: Adsorption an Oberfl
ächen (V)

O 27.4: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 12:00–12:15, H36

Adsorbatinduzierte Selbststrukturierung von vicinalem Ge(100) — •Chr. Tegenkamp, M. Horn von Hoegen, F. Meyer zu Heringdorf und H. Pfnür — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover

Vicinale Ge(100)-[011] Oberflächen mit einem Fehlwinkel von 5.4^∘ weisen im Gegensatz zu entsprechend fehlgeneigten Si Oberflächen eine Mischung aus Einzel(S_A,S_B)– und Doppelstufen(D_B) auf. Um eine (mögliche) Doppelstufenbildung beim Ge zu generieren, wurde das Adsorbatverhalten von Ge, Au, H und Si mittels hochauflösender Elektronenbeugung (SPA-LEED) untersucht. Während bei der Adsorption von atomarem H bei 370^∘ C keine morphologische Veränderung der vicinalen Ge(100) Oberfläche festzustellen war, bildeten sich durch MBE von Ge bei Raumtemperatur [113]-Facetten mit 4-zähliger Symmetrie aus, koexistierend mit den (2× 1) Rotationsdomänen der (100) Terassen. Ein nachträgliches Angebot von 0.7 ML Au bei 460^∘ C führte zu einer Auslöschung der Facettenreflexe und zur Ausbildung einer (4 × x) Überstruktur. Ein Übergang zu einer reinen Doppelstufenfolge auf Ge(100)-[011] scheint durch Zugabe von etwa 1 ML Si zu gelingen, die pseudomorph aufwächst. Nach Adsorption bei Raumtemperatur und Tempern der Oberfläche bis 380^∘ C konnten nur noch entsprechende Doppelstufenaufspaltungen der Hauptstrukturreflexe sowie das Vorhandensein einer (2 × 1) Domäne beobachtet werden.