Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.98: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Wachstum von Xenon-Filmen auf der Cu-O-Streifenphase — •V. B. Diercks¹, R. Halmer¹, P. Zeppenfeld², R. David¹ und G. Comsa¹ — ¹Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich GmbH — ²Institut für Experimentalphysik, Johannes-Kepler-Universität Linz, A-4040 Linz, Österreich

Mittels Streuung thermischer Heliumatome sowie Thermischer Desorptionsspektroskopie wurde das Wachstum und die Struktur von Xenon-Filmen auf der nanostrukturierten Cu(110)-(2×1)O-Fläche untersucht. Durch Adsorption von Sauerstoff bei Raumtemperatur wird zunächst die regelmäßig geordnete, stabile Streifenphase [1], bei der sich Cu- und Cu-O-Bereiche abwechseln, erzeugt. Begast man diese Fläche mit Xenon, zeigt sich ein ähnliches Verhalten wie bei der Adsorption von N₂ [2]. Zuerst adsorbiert Xe auf den Cu-O-Streifen, und zwar in eine inkommensurable Phase und danach auf den reinen Kupferbereichen zwischen den Streifen. Anschließend werden noch weitere Xe-Atome auf den Cu-O-Streifen adsorbiert bis dort eine kommensurable (2×3)-Struktur entsteht.

[1] K. Kern, H. Niehus, A. Schatz, P. Zeppenfeld, J. Goerge und
G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 67, 855 (1991).

[2] R. Halmer, V. Diercks, P. Zeppenfeld, R. David und G. Comsa, DPG-Frühjahrstagung 1997, Verhandlungen O 7.10.