Regensburg 1998 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
O: Oberflächenphysik
O 34: Poster (II)
O 34.98: Poster
Thursday, March 26, 1998, 20:00–22:30, Bereich C
Wachstum von Xenon-Filmen auf der Cu-O-Streifenphase — •V. B. Diercks1, R. Halmer1, P. Zeppenfeld2, R. David1 und G. Comsa1 — 1Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich GmbH — 2Institut für Experimentalphysik, Johannes-Kepler-Universität Linz, A-4040 Linz, Österreich
Mittels Streuung thermischer Heliumatome sowie Thermischer Desorptionsspektroskopie wurde das Wachstum und die Struktur von Xenon-Filmen auf der nanostrukturierten Cu(110)-(2×1)O-Fläche untersucht. Durch Adsorption von Sauerstoff bei Raumtemperatur wird zunächst die regelmäßig geordnete, stabile Streifenphase [1], bei der sich Cu- und Cu-O-Bereiche abwechseln, erzeugt. Begast man diese Fläche mit Xenon, zeigt sich ein ähnliches Verhalten wie bei der Adsorption von N2 [2]. Zuerst adsorbiert Xe auf den Cu-O-Streifen, und zwar in eine inkommensurable Phase und danach auf den reinen Kupferbereichen zwischen den Streifen. Anschließend werden noch weitere Xe-Atome auf den Cu-O-Streifen adsorbiert bis dort eine kommensurable (2×3)-Struktur entsteht.
[1] K. Kern, H. Niehus, A. Schatz, P. Zeppenfeld, J. Goerge und
G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 67, 855 (1991).
[2] R. Halmer, V. Diercks, P. Zeppenfeld, R. David und G. Comsa, DPG-Frühjahrstagung 1997, Verhandlungen O 7.10.