Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 10: Postersitzung I: Ladungseffekte in Einelektronensystemen (1-6), Niedrigdimensionale Systeme (7-17), Transporteigenschaften und Pinning in HTSL (18-30), Symmetrie des Ordnungsparameters in HTSL (31-36), Korrelierte Elektronen: Theorie (37-79)
TT 10.5: Poster
Dienstag, 24. März 1998, 09:30–13:00, A
Einfluß der Herstellungsparameter auf die Eigenschaften von Einzelelektronentransistoren aus Al/Al2O3/Al-Strukturen — •B. Limbach1, A. Sypli1, C. Wallisser1, R. Schäfer1 und H. Hein2 — 1Forschungszentrum Karlsruhe, INFP, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe — 2Forschungszentrum Karlsruhe, IMT, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe
Zur Messung von Einzelelektronen-Effekten in metallischen Systemen stellen wir Einzelelektronentransistoren durch Al/Al2O3/Al-Schattenbedampfungstechnik her. Dabei lassen sich über die Wahl der Geometrie sowie die Variation der Parameter beim Herstellungsprozeß die Eigenschaften der Transistoren verändern.
Da die Widerstände der Tunnelkontakte, die wichtigster Bestandteil eines Einzelelektronentransistors sind, maßgeblich durch die Dicke der Oxidschicht bestimmt werden, untersuchten wir an etwas größeren Kontakten (100 nm×100 nm) den Einfluß des Sauerstoffdruckes beim Oxidationsschritt auf die Entstehung und die Dicke der Oxidschicht und die resultierende Widerstandsabhängigkeit.