Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.26: Poster

Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula

Mechanische Spannungen in Phasenwechselmedien — •P. Franz¹, I. Friedrich¹, W. Njoroge², V. Weidenhof¹ und M. Wuttig² — ¹Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich GmbH. — ²I. Physikalisches Institut A, RWTH Aachen

Phasenwechselmedien zeichnen sich mit ihren optischen Eigenschaften (großer Reflektivitätsunterschied zwischen amorpher und kristalliner Phase) als vielversprechende Materialien für optische Speicheranwendungen aus. Allerdings ist die Lebensdauer (Zahl der Schreib-Löschzyklen) solcher Datenträger begrenzt. Ursache dafür ist unter anderem die Dichte-änderung von ca. 6-9 Prozent , die beim Übergang von der amorphen zur kristallinen Phase stattfindet. Dies führt zu mechanischen Spannungen. Um diese Probleme besser zu verstehen und Lösungsansätze zu erarbeiten, wird die Phasenumwandlung der Schichten und der Einflußauf mechanische und strukturelle Eigenschaften analysiert.
Dazu werden 5-80 nm dünne Ge₂Te₅Sb₂ - Schichten auf Si- oder Glas-Wafer gesputtert. Werden diese Schichten getempert, so kristallisieren die Schichten. Die damit verbundene Dichteänderung wird in Abhängigkeit von den Sputterparametern und der Heiztemperatur mit Röntgenreflekto-metrie (XRR) vermessen. Desweiteren werden die inneren Spannungen direkt aus der Halbwertsbreite der Reflexe der Röntgenbeugung (XRD) bestimmt. Ziel ist es, die mechanischen Spannungen genauer zu charakterisieren und in Beziehung zu den Dichteänderungen zu setzen.