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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Amorphe Halbleiter

HL 10.4: Talk

Monday, March 22, 1999, 18:15–18:30, H3

Lichtemittierende Dioden auf der Basis amorpher Silizium-Suboxide — •Rainer Janssen, Andreas Janotta und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Mit einer Plasma-CVD Anlage werden unter Verwendung der Prozessgase SiH4 und CO2 amorphe substöchiometrische Siliziumoxidschichten hergestellt. Die Dotierung der Schichten erfolgt durch die Zugabe von PH3 oder B2H6 zu den Prozessgasen und ermöglicht die Herstellung von pin Diodenstrukturen.
Temperung bei Temperaturen bis zu 300C führt zu einer Verringerung der Defektdichte der undotierten Schichten und zu einer Zunahme der Dunkelleitfähigkeit der p-dotierten Schichten. Vorgestellt werden I-U Kennlinien und spektral aufgelöste Elektrolumineszenzmessungen an pin Dioden mit variabler i-Schicht Bandlücke. Eine Quanteneffizienz von 10−3% kann mittels geeigneter Temperung der pin Dioden realisiert werden.
Weiterhin wurden Photolumineszenzmessungen an undotierten Schichten nach einer Implantation von Er3+ - Ionen durchgeführt. Nach einer Temperung bei 300C wird für Er3+ Konzentrationen größer als 1020 cm−3 die charakteristische Emission bei 1540 nm beobachtet. Für eine elektrische Anregung der Er3+ Lumineszenz werden mit Er3+ implantierte i-Schichten in pin Dioden integriert und die Lumineszenz unter Vorwärts- und Rückwärtsspannung untersucht.

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