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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.37: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Halleffekt-Untersuchungen des ⁷¹As → ⁷¹Ge → ⁷¹Ga -Übergangs in GaAs — •C. von Nathusius¹, R. Vianden¹ und Isolde-Kollaboration² — ¹Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn, Nußallee 14-16, D-53115 Bonn — ²Isolde-Kollaboration, CERN Geneve, CH

Untersuchungen der Implantation von ⁷¹As in GaAs haben die Bildung des Ga_As-Antisite-Defekts nachgewiesen. Das in einem Temperschritt auf dem As-Platz eingebaute ⁷¹As zerfällt über ⁷¹Ge zum ⁷¹Ga. Während der in der Zerfallskaskade entstehende Ge_As-Defekt Akzeptorcharakter zeigt, hat Ga_As Akzeptor- oder kompensierendes Verhalten gezeigt. Zur Untersuchung dieses uneinheitlichen elektischen Verhaltens wurden weitere Hall-Effekt- und Widerstandsmessungen an verschiedenen mit ⁷¹As dotierten GaAs-Poben durchgefuehrt.

[1] G.Rohrlack et.al., Nucl.Instr.Meth. B (1995), B106 (no. 1-4), p.267-70

[2] R.Magerle et.al., Mater.Science Forum (1997), vol.258-163, pt.2, p.945-50