Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.56: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
Photostromuntersuchungen an InAs-Monolagen im GaAs — •H. Schmidt, R. Pickenhain und V. Gottschalch — Fak. für Physik und Chemie, Universität Leipzig, Linnéstr. 5 , 04103 Leipzig
Es wurden GaAs MOVPE Proben, welche zwei 0.5 bzw 1 Monolagen (ML) InAs
enthalten, auf 2∘(011) Substraten
gezüchtet. Dabei wurde der Abstand der Monolagen zueinander von
40 nm
bis zu 0 nm variiert. Die Absorptionsbanden EML dieser
Doppelschichten
wurde mittels Photostrommessungen bei 4 K untersucht, wobei die
Raumladungszone durch Aufbringen von Au-Schottkykontakten,
30 nm
über den Monolagen, hergestellt wurde. Mit Anlegen einer
Sperrspannung
an den Schottkykontakt konnte ferner die Feldstärkeabhängigkeit dieser
energetischen Lage der Absorptionsbanden EML(E→) bestimmt werden.
Für die 0.5 ML Schichten mit 40 nm Abstand sinkt EML(E→)
mit
wachsender Feldstärke E→. Es zeigt sich, daß erst unterhalb
von 11 nm Wechselwirkungen zwischen den Monolagen auftreten, die zu
einer
Verschiebung der Absorptionsbanden EML führen. Insbesondere
ändert sich dann die Abhängigkeit von der Feldstärke signifikant.
Die Absorptionsbanden verschieben sich hierbei mit wachsender
Feldstärke zu höheren Energien. Zusätzlich treten bei den Proben mit
zwei 1 ML bei Abständen kleiner als 4 nm neue Absorptionsbanden bei
niedrigerer Energie auf. Diese zeigen eine geringe Feldstärkeabhängigkeit.
Es wurden weiterhin Bandstrukturrechnungen der
Doppelschichtanordnungen mittels Pseudopotentialmethode
durchgeführt. Dabei fanden Superzellen mit bis zu 31 ML
Verwendung. Die berechnete Bandstruktur und die
Valenzelektronendichteverteilung werden in Zusammenhang mit
den vorgestellten Messungen diskutiert.