Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.56: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Photostromuntersuchungen an InAs-Monolagen im GaAs — •H. Schmidt, R. Pickenhain und V. Gottschalch — Fak. für Physik und Chemie, Universität Leipzig, Linnéstr. 5 , 04103 Leipzig

Es wurden GaAs MOVPE Proben, welche zwei 0.5 bzw 1 Monolagen (ML) InAs enthalten, auf 2^∘(011) Substraten gezüchtet. Dabei wurde der Abstand der Monolagen zueinander von 40  nm bis zu 0  nm variiert. Die Absorptionsbanden E_ML dieser Doppelschichten wurde mittels Photostrommessungen bei 4 K untersucht, wobei die Raumladungszone durch Aufbringen von Au-Schottkykontakten, 30  nm über den Monolagen, hergestellt wurde. Mit Anlegen einer Sperrspannung an den Schottkykontakt konnte ferner die Feldstärkeabhängigkeit dieser energetischen Lage der Absorptionsbanden E_ML(E^→) bestimmt werden. Für die 0.5 ML Schichten mit 40  nm Abstand sinkt E_ML(E^→) mit wachsender Feldstärke E^→. Es zeigt sich, daß erst unterhalb von 11  nm Wechselwirkungen zwischen den Monolagen auftreten, die zu einer Verschiebung der Absorptionsbanden E_ML führen. Insbesondere ändert sich dann die Abhängigkeit von der Feldstärke signifikant. Die Absorptionsbanden verschieben sich hierbei mit wachsender Feldstärke zu höheren Energien. Zusätzlich treten bei den Proben mit zwei 1 ML bei Abständen kleiner als 4  nm neue Absorptionsbanden bei niedrigerer Energie auf. Diese zeigen eine geringe Feldstärkeabhängigkeit. Es wurden weiterhin Bandstrukturrechnungen der Doppelschichtanordnungen mittels Pseudopotentialmethode durchgeführt. Dabei fanden Superzellen mit bis zu 31 ML Verwendung. Die berechnete Bandstruktur und die Valenzelektronendichteverteilung werden in Zusammenhang mit den vorgestellten Messungen diskutiert.