Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: Quanten Hall Effekt
HL 16.5: Vortrag
Dienstag, 23. März 1999, 11:30–11:45, H3
Randkanalbeeinflussung durch lateral implantierte Barrieren mit Hilfe der fokussierten Ionenimplantation — •S. Gargosch1, J. Koch1, C. Heidtkamp1, H. Jiang2, K. Clark2, W. Kirk2, and A.D. Wieck1 — 1Lehrstuhl f"ur Angewandte Festk"orperphysik, Ruhr-Universit"at-Bochum, Universit"atsstrasse 150, 44780 Bochum — 2Nano-Fabrication Institute at the Texas A&M University, Department of Physics, College Station, Texas 77843-4242, U.S.A.
Auf einer Hallsteg–Struktur wurden mit Hilfe der
No-dqFocused–Ion–Beam (FIB)No-dq–Technik
Ga+–Ionen mit einer Energie von 100 keV implantiert
und so eine isolierende
No-dqIn–Plane–Gate (IPG)No-dq–Linie realisiert.
Der Magnetowiderstand Rxx(B)
wurde entlang dieser Linie in Abh"angigkeit von der Gate–Spannung
vermessen. Hierzu wurden AlxGa1−xAs/GaAs–Heterostrukturen
verwendet, die unterschiedliche Mobilit"aten aufweisen.
Eine positive bzw. negative Gate–Spannung verursacht
eine h"ohere bzw. niedrigere L"angswiderstandsamplitude,
und es kommt zu einer direkten Beeinflussung der Randkan"ale. Dies
f"uhrt zu einer verst"arkten Kopplung zwischen den Randzust"anden und
resultierend daraus zu einer erh"ohten R"uckstreuung bzw. einem gr"oßeren
L"angswiderstandswert. Hierzu existieren
zwei Modelle, auf die n"aher eingegangen wird. Zur
Untersuchung dieses Effektes wurden zwei Proben unterschiedlicher
Mobilit"at verwendet. Neben der Gatespannungs–Abh"angigkeit wurde auch der
Einfluß der Temperatur zwischen 32 mK und 1 K untersucht.
Diese Arbeit wurde durch den Promotionsschwerpunkt
Wechselwirkungendes evangelischen Studienwerkes e. V. Villigst
sowie durch das Graduiertenkolleg 50 an der Universit"at Dortmund und das
Graduiertenkolleg 384 an der Universit"at Bochum gef"ordert.