Münster 1999 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 2: Photovoltaik I

HL 2.4: Talk

Monday, March 22, 1999, 11:15–11:30, H1

Ferminiveauabhängige Defektbildung in Chalkopyrithalbleitern — •A. Klein und W. Jaegermann — Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Materialwissenschaft, Petersenstraße 23, 64287 Darmstadt

Es werden Photoemissionsmessungen an verschiedenen Grenzflächen der Chalkopyrit- Halbleiter CuInSe₂, CuGaSe₂ und CuInS₂ vorgestellt. Der Abstand des Ferminiveaus zum Valendbandmaximum an der Oberfläche wird dabei durch die entsprechenden Adsorbate verändert (Bandverbiegung). Die mit großen Anregungsenergien am Synchrotro= n gemessenen Valenzbandspektren zeigen eine Reduzierung der Cu- Konzentration an der Oberfläche, wenn das Ferminiveau einen bestimmten Abstand zum Valenzbandmaximum überschreitet. Offensichtlich führt die Umladung von Defekten zu einer beweglichen Cu- Spezies. Es wird vermutet, daß es sich hierbei um einen fundamentalen Mechanismus in den Cu- Chalkopyriten handelt, der eine Vielzahl von Beobachtungen an Dünnschichtsolarzellen dieser Materialien erklären kann.