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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Photovoltaik I

HL 2.4: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 11:15–11:30, H1

Ferminiveauabhängige Defektbildung in Chalkopyrithalbleitern — •A. Klein und W. Jaegermann — Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Materialwissenschaft, Petersenstraße 23, 64287 Darmstadt

Es werden Photoemissionsmessungen an verschiedenen Grenzflächen der Chalkopyrit- Halbleiter CuInSe₂, CuGaSe₂ und CuInS₂ vorgestellt. Der Abstand des Ferminiveaus zum Valendbandmaximum an der Oberfläche wird dabei durch die entsprechenden Adsorbate verändert (Bandverbiegung). Die mit großen Anregungsenergien am Synchrotro= n gemessenen Valenzbandspektren zeigen eine Reduzierung der Cu- Konzentration an der Oberfläche, wenn das Ferminiveau einen bestimmten Abstand zum Valenzbandmaximum überschreitet. Offensichtlich führt die Umladung von Defekten zu einer beweglichen Cu- Spezies. Es wird vermutet, daß es sich hierbei um einen fundamentalen Mechanismus in den Cu- Chalkopyriten handelt, der eine Vielzahl von Beobachtungen an Dünnschichtsolarzellen dieser Materialien erklären kann.