Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: SiC

Dienstag, 23. März 1999, 16:00–19:00, H2

	16:00	HL 20.1	Magnetische Resonanz-Untersuchungen an Sc-Akzeptoren in 6H- und 4H-SiC — •S. Greulich-Weber, M. März und J.-M. Spaeth
	16:15	HL 20.2	MCDA-EPR-Untersuchungen an Strahlendefekten in SiC — •T. Lingner, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth
	16:30	HL 20.3	Epitaktische Siliziumdioxid-Monolagen auf (0001) und (0001) Oberflächen von SiC — •J. Bernhardt, J. Schardt, U. Starke und K. Heinz
	16:45	HL 20.4	Bestimmung von Verspannungen in 3C-SiC mit Ramanspektroskopie — •S. Rohmfeld, M. Hundhausen, L. Ley und C. Zorman
	17:00	HL 20.5	Reaktivierung von Wasserstoff-passivierten Aluminium-Akzeptoren in Siliziumkarbid — •Christian Hülsen, Norbert Achtziger, Jan Herold und WolfgangA Witthuhn
	17:15	HL 20.6	Radiotracer-DLTS an Tantal in 4H-Siliziumkarbid — •Joachim Grillenberger, Norbert Achtziger, Fanny Albrecht, Gunnar Pasold, Reiner Sielemann und Wolfgang Witthuhn
	17:30	HL 20.7	TEM Untersuchung der chemischen Konvertierung von Si zu SiC durch RTP — •W. Attenberger, J. Pezoldt, J.K.N. Lindner und B. Stritzker
	17:45	HL 20.8	Charakterisierung und Simulation der Dynamik der unvollständigen Ionisation von N, Al und B als Dotierstoffe in 4H/6H-SiC — •W. Kaindl, M. Lades und G. Wachutka
	18:00	HL 20.9	Bestimmung der ordentlichen und außerordentlichen Brechzahl von 4H- und 6H-SiC mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •J. Scheiner, R. Goldhahn und G. Gobsch
	18:15	HL 20.10	Untersuchungen zur Bildung des D-Zentrums in C/B bzw. Si/B coimplantiertem 4H/6H-SiC — •Thomas Frank, Gerhard Pensl, Adolf Schöner und Thomas Troffer
	18:30	HL 20.11	Unterdrückung der Bordiffusion in 4H-SiC durch Coimplantation von C/B bzw. thermische Vernichtung von Eigendefekten — •Michael Laube und Gerhard Pensl
	18:45	HL 20.12	Bestimmung der Quasiteilchenbandstruktur von c-SiC mit dem SAPW-GWΓ-Verfahren — •Gregor-Martin Fehrenbach und Helmut Bross