Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 26: II-VI Halbleiter
HL 26.6: Vortrag
Mittwoch, 24. März 1999, 16:15–16:30, H4
Bestimmung der Stapelfehlerenergie von BeTe und Defektcharakterisierung in Be-haltigen II-VI Halbleiter-Heterostrukturen. — •M. Reiss1, T. Walter1, D. Gerthsen1 und A. Waag2 — 1Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe (TH) Kaiserstraße 12, D-76128 Karlsruhe — 2Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg
Berylliumchalkogenide eignen sich wegen ihren hohen
Bandlückenenergien als Ausgangsmaterial für optoelektronische
Bauelemente im
blau/grünen Spektralbereich. Die
Voraussetzung für die Herstellung optischer Bauelemente sind
epitaktische Schichten mit niedrigen Defektdichten, die in Be-haltigen
Heterostrukturen signifikant reduziert werden konnten.
Eine für die Defektentstehung wichtige Größe ist die Energie intrinsischer Stapelfehler. Die Stapelfehlerenergie von BeTe wurde deshalb mit der Transmissionselektronenmikroskopie durch die Messung der Aufspaltungsweiten von Versetzungen in einer 2µm dicken, relaxierten BeTe-Schicht bestimmt. Diese Schicht wurde mit der Molekularstrahlepitaxie auf einem GaAs(001) Substrat aufgewachsen. Die Stapelfehlerenergie von 23±5 mJ/m2 liegt deutlich über den Stapelfehlerenergien von ZnSe und ZnTe. Weiterhin wurde die Defektentstehung in unterschiedlich gewachsenen BeTe und ZnSe Pufferschichten auf GaAs(001) Substraten untersucht. Sowohl die Defektdichte wie auch die Defekttypen zeigen eine starke Abhängigkeit vom Wachstumsstart auf dem GaAs(001) Substrat. Eine BeTe-Pufferschicht an der GaAs-Grenzfläche führt zu stark reduzierten Defektdichten in der darauf aufgewachsenen BeMgZnSe-Schicht. Dieser Befund wird mit der vergleichweise hohen Stapelfehlerenergie von BeTe in Zusammenhang gebracht.