HL 30: Epitaxie
Donnerstag, 25. März 1999, 10:30–12:45, H3
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10:30 |
HL 30.1 |
Ab initio-Untersuchungen zur Nukleation in der GaAs-Homoepitaxie — •P. Kratzer, C. G. Morgan und M. Scheffler
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10:45 |
HL 30.2 |
The polarity of AlN films on Si substrates grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy — •Wo. Richter, V. Lebedev, B. Schröter, G. Kipshidze, and U. Kaiser
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11:00 |
HL 30.3 |
Wachstum von AlGaAs/GaAs-Quantendrähten auf strukturierten Substraten — •Andreas Kaluza, Axel Schwarz, Hilde Hardtdegen, Thomas Schaepers, Konrad Wirtz und Christel Dieker
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11:15 |
HL 30.4 |
Epitaxie auf verdreht gebondeten dünnen Schichten aus (100) GaAs — •St. Senz, P. Kopperschmidt, G. Kästner und U. Gösele
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11:30 |
HL 30.5 |
In-situ Grenzflächendiagnostik und Dotierungsmessung für die MOVPE — •K. Haberland, A. Bhattacharya, M. Pristovsek, P. Kurpas, M. Weyers, J.-T. Zettler und W. Richter
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11:45 |
HL 30.6 |
Einfluss der Oberflächenrekonstruktionen auf das MOVPE-Wachstum von GaAs — •M. Pristovsek, B. Han, T. Wehnert, E. Steimetz, J.-T. Zettler und W. Richter
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12:00 |
HL 30.7 |
Hochraten-Niedertemperaturepitaxie von Silizium mittels Ionen-assi stierter Deposition — •L. Oberbeck, R. B. Bergmann, S. Oelting, R. M. Hausner, N. Jensen, R. Dassow, J. Krinke und J. H. Werner
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12:15 |
HL 30.8 |
Charakterisierung von ZnSe basierenden Halbleiterstrukturen mit Hilfe der hochauflösenden Röntgenbeugung — •V. Gross-mann, H. Wenisch, H. Heinke und D. Hommel
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12:30 |
HL 30.9 |
Elektroabsorptionsuntersuchungen der Bandstruktur von spontan geordnetem InGaAs — •J. Spieler, T. Kippenberg, J. Krauß, P. Kiesel, P. Velling, W. Prost, F.J. Tegude und G.H. Döhler
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