Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: Epitaxie

Donnerstag, 25. März 1999, 10:30–12:45, H3

	10:30	HL 30.1	Ab initio-Untersuchungen zur Nukleation in der GaAs-Homoepitaxie — •P. Kratzer, C. G. Morgan und M. Scheffler
	10:45	HL 30.2	The polarity of AlN films on Si substrates grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy — •Wo. Richter, V. Lebedev, B. Schröter, G. Kipshidze, and U. Kaiser
	11:00	HL 30.3	Wachstum von AlGaAs/GaAs-Quantendrähten auf strukturierten Substraten — •Andreas Kaluza, Axel Schwarz, Hilde Hardtdegen, Thomas Schaepers, Konrad Wirtz und Christel Dieker
	11:15	HL 30.4	Epitaxie auf verdreht gebondeten dünnen Schichten aus (100) GaAs — •St. Senz, P. Kopperschmidt, G. Kästner und U. Gösele
	11:30	HL 30.5	In-situ Grenzflächendiagnostik und Dotierungsmessung für die MOVPE — •K. Haberland, A. Bhattacharya, M. Pristovsek, P. Kurpas, M. Weyers, J.-T. Zettler und W. Richter
	11:45	HL 30.6	Einfluss der Oberflächenrekonstruktionen auf das MOVPE-Wachstum von GaAs — •M. Pristovsek, B. Han, T. Wehnert, E. Steimetz, J.-T. Zettler und W. Richter
	12:00	HL 30.7	Hochraten-Niedertemperaturepitaxie von Silizium mittels Ionen-assi stierter Deposition — •L. Oberbeck, R. B. Bergmann, S. Oelting, R. M. Hausner, N. Jensen, R. Dassow, J. Krinke und J. H. Werner
	12:15	HL 30.8	Charakterisierung von ZnSe basierenden Halbleiterstrukturen mit Hilfe der hochauflösenden Röntgenbeugung — •V. Gross-mann, H. Wenisch, H. Heinke und D. Hommel
	12:30	HL 30.9	Elektroabsorptionsuntersuchungen der Bandstruktur von spontan geordnetem InGaAs — •J. Spieler, T. Kippenberg, J. Krauß, P. Kiesel, P. Velling, W. Prost, F.J. Tegude und G.H. Döhler