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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Bauelemente

HL 33.10: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 18:15–18:30, H1

Wachstum von SiC Volumenkristallen nahe am thermischen Gleichgewicht — •Norbert Schulze¹, Donovan L. Barrett¹, Gerhard Pensl¹, Stefan Rohmfeld² und Martin Hundhausen² — ¹Inst. f. Angewandte Physik, Univ. Erlangen-Nürnberg, Staudtstr.7 / A3, 91058 Erlangen — ²Inst. f. Technische Physik, Univ. Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen

4H-/ 6H- und 15-R Siliciumkarbid wurde mittels modifiziertem Lely-Verfahren nahe am thermischen Gleichgewicht gewachsen. Während mit dieser Prozeßführung micropipe-freie 6H-SiC Volumenkristalle erzielt werden, treten beim 4H- und 15R-SiC Wachstum unter den bisher eingesetzten Wachstumsbedingungen Einschlüsse fremder Polytypen auf. In der Umgebung dieser Einschlüsse wird häufig die Nukleation von Micropipes beobachtet. Ramanspektroskopische Untersuchungen zeigen interne Verspannungen in den Übergangsbereichen zwischen den Polytypen. Diese Verspannungen werden als Ursache für die Entstehung der Micropipes angesehen.

Die gewachsenen 4H-/6H- und 15R-SiC Volumenkristalle wurden mittels Hall-Effekt charakterisiert. Die Stickstoffkonzentration der SiC-Volumenkristalle liegt im Bereich von 5x10¹7 cm⁻3 bis 2x10¹8 cm⁻3. Das Maximum der Elektronen-Hall-Beweglichkeit ist bei 200 cm² / Vs (6H-SiC) bzw. 300 cm² / Vs (4H-/15R-SiC).