Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 35: Ionenimplantation
HL 35.4: Talk
Thursday, March 25, 1999, 18:30–18:45, H2
MOCVD-Epitaxie auf freitragenden HVPE-GaN-Substraten — •C. R. Miskys, M. K. Kelly, O. Ambacher und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching
Freitragende GaN-Substrate können mit einem speziellen Laser-
liftoff-Verfahren durch Ablösen dicker HVPE (Hydride Vapour
Phase Epitaxy) Schichten von den Saphirsubstraten hergestellt
werden. Die mit diesem Prozeß [1] gewonnenen
großflächigen, unverspannten GaN-Substrate sind optimal
für GaN-Homoepitaxie geeignet, da eine perfekte Gitter- und
thermische Anpassung vorliegt. Die Homo- und Heteroepitaxie
auf freitragenden HVPE-GaN stellt ein großes Potential
für optoelektronische Bauelemente dar. Gründe dafür
sind die bessere Wärmeabfuhr, die Möglichkeit der
direkten Rückseiten-Kontaktierung des leitfähigen GaN-
Substrates und eine einfache Herstellung von kantenemittierenden
Lasern durch Spalten. Auf diese HVPE-GaN-Substrate wurden
mittels Niederdruck MOCVD-Verfahren dicke homoepitaktische
Schichten abgeschieden. Jüngste Ergebnisse der strukturellen
und optischen Charakterisierung (REM, AFM, XRD, PL) dieser
Schichten werden präsentiert.
[1] M. K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh und
M. Stutzmann, phys. stat. sol. (a) 159, R3 (1997)