Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 3: GaN I

Montag, 22. März 1999, 10:30–13:30, H2

	10:30	HL 3.1	Lattice Dynamics of Group III Nitride Semiconductor Compounds — •P. Pavone, M. Pabst, R. Plomer, S. Bruckmoser, and D. Strauch
	10:45	HL 3.2	Si-Dotierung kubischer GaN Epitaxieschichten — •Donat Josef As, Jörg Busch, Martin Lübbers, Bernd Schöttker, Jürgen Mimkes, Detlef Schikora, Klaus Lischka, Willhelm Kriegseis und Bruno K. Meyer
	11:00	HL 3.3	Molekularstrahlepitaxie von c-InxGa1-xN/GaN/GaAs(001) Heterostrukturen mit variablem In-Gehalt. — •Thomas Frey, Martin Bartels, Donat Josef As, Detlef Schikora und Klaus Lischka
	11:15	HL 3.4	Bestimmung der Quasiteilchenbandstruktur und des Einflusses der Semi-Core Zustände in c-GaN mit dem SAPW-GWΓ-Verfahren — •Gregor-Martin Fehrenbach und Helmut Bross
	11:30	HL 3.5	MBE-Wachstum von AlGaN/GaN Heterostrukturen für Feldeffekttransistoren — •Roman Dimitrov, Lars Wittmer, Andrea Mitchell, Oliver Ambacher, Martin Stutzmann, Jörg Hilsenbeck und Walter Rieger
	11:45	HL 3.6	Einfluß der Akzeptordotierung auf die Photoleitung von MBE-GaN — •Marco Lisker, Andre Krschil, Hartmut Witte, Jürgen Christen, Udo Birkle, Sven Einfeldt und Detlef Hommel
	12:00	HL 3.7	AFM/STM Untersuchung von offenen Schraubenversetzungen und Substrateinflüssen auf MBE-gewachsenen AlN Schichten — •Marcel Rattunde und Dirk G. Ebling
	12:15	HL 3.8	Surfactants und Diffusion auf GaN (0001) Oberflächen — •Tosja Zywietz
	12:30	HL 3.9	Reflectance Difference Spectroscopy (RDS) Untersuchungen von AlxGa1−xN Schichten — •U. Rossow, O. Ambacher, N.V. Edwards, D.E. Aspnes, J. A. Schaefer und M. Stutzmann
	12:45	HL 3.10	Einfluß der MBE-Wachstumsparameter auf die Morphologie von AlN-Schichten — •Lars Steinke und Dirk G. Ebling
	13:00	HL 3.11	AlGaN basierende Photoleiter als schmalbandige UV-Detektoren — •Armin Dobner, Uwe Karrer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann
	13:15	HL 3.12	Auswirkungen der Polarität auf die elektrischen und strukturellen Eigenschaften von AlGaN/GaN Heterostrukturen — •Andrea Mitchell, Roman Dimitrov, Lars Wittmer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann