Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 45: Störstellen
HL 45.6: Vortrag
Freitag, 26. März 1999, 10:45–11:00, H4
Identifizierung der Photolumineszenz von Akzeptor-Niveaus in II-VI Halbleitern durch Verwendung von radioaktiven Isotopen — •T. Filz1, J. Hamann1, A. Burchard2, M. Deicher2, V. Ostheimer1, C. Schmitz1, F. Strasser1, H. Wolf1, Th. Wichert1 und ISOLDE-Collaboration3 — 1Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — 2Fakultät für Physik, Universität Konstanz, D-78434 Konstanz — 3PPE- ISOLDE, CERN, CH-1211 Genf 23
CdTe-Einkristalle wurden mit radioaktivem 197Hg implantiert. Da Hg isoelektronisch zu Cd ist, wird es beim anschließenden Tempern bei 750 K vorwiegend auf Cd-Plätzen eingebaut. 197Hg zerfällt mit einer Halbwertszeit von 64.1 h zu 197Au, wodurch in kontrollierter Weise Au-Akzeptoren erzeugt werden. In anschließenden Photolumineszenz-Experimenten wurde ein Donator-Akzeptor-Übergang bei 1.295 eV beobachtet, dessen Intensität mit einer Halbwertszeit von (70 ± 7) h zunimmt und folglich durch Au-Akzeptoren verursacht wird. Außerdem wurde eine Linie identifiziert, die durch die Rekombination von an Au-Akzeptoren gebundenen Exzitonen verursacht wird. Die bereits in [1] erfolgten Zuordnungen konnten damit bestätigt werden. Daneben wurde quantitativ gezeigt, daß die Wahrscheinlichkeit für die Rekombination von Exzitonen mit zunehmender Dotierung abnimmt. In ZnTe und in ZnSe wurden ebenfalls Au-Akzeptoren durch Implantation von 197Hg erzeugt. Als weitere Akzeptoren wurden Ag und Sb jeweils in CdTe, ZnTe und ZnSe unter Verwendung der Isotope 111Ag/111Cd und 121Te/121Sb untersucht.
[1] E. Molva, J.M. Francou, J.L. Pautrat, K. Saminadayar, Le Si Dang; J. Appl. Phys. 56, 2241 (1984) Gefördert durch das BMBF, Projektnummer WI04SAA.