Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 5: Grenz- und Oberfl
ächen I
HL 5.11: Talk
Monday, March 22, 1999, 13:00–13:15, H4
Grenzflächendefekte am Si/SiO2 -Interface — •Jürgen Albohn, Ngo Duong Sinh, Klaus Kliefoth, Walter Füssel und Walther Fuhs — Hahn-Meitner-Institut Berlin Rudower Chaussee 5 12489 Berlin
Zur Charakterisierung von Defekten an der Si/SiO2-
Grenzfläche wurden
Modulations-CV-Messungen an n-Typ-MOS-Strukturen durchgeführt.
Dazu wurden Proben aus unterschiedlichem
HL-Material (CZ, FZ) mit verschieden orientierten
Oberflächen (111, 100)sowie unterschiedlichen
Oxidations- und Temperbedingungen präpariert.
Das Dispersionsverhalten von Grenzflächendefekten dieser
Proben wurde im Frequenzbereich von 1Hz bis 100kHz
in Akkumulation und Verarmung bestimmt.
In den Frequenzspektren der Proben zeigen sich zwei verschiedene
Zeitkonstanten. Die Auswertung ergibt zwei klar unterscheidbare
Gruppen von Einfangquerschnitten, die sich Defekten mit
unterschiedlicher atomar-chemischer Struktur zuordnen lassen.
Die Gruppe mit den größeren Einfangquerschnitten kann
den intrinsischen Dangling-Bond-Defekten (Si3≡ Si−),
die Gruppe mit den kleineren Einfangquerschnitten den
extrinsischen Dangling-Bond-Defekten (Si2O≡ Si−)
zugeordnet werden.