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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Grenz- und Oberfl
ächen I

HL 5.11: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 13:00–13:15, H4

Grenzflächendefekte am Si/SiO₂ -Interface — •Jürgen Albohn, Ngo Duong Sinh, Klaus Kliefoth, Walter Füssel und Walther Fuhs — Hahn-Meitner-Institut Berlin Rudower Chaussee 5 12489 Berlin

Zur Charakterisierung von Defekten an der Si/SiO₂-

Grenzfläche wurden

Modulations-CV-Messungen an n-Typ-MOS-Strukturen durchgeführt.

Dazu wurden Proben aus unterschiedlichem

HL-Material (CZ, FZ) mit verschieden orientierten

Oberflächen (111, 100)sowie unterschiedlichen

Oxidations- und Temperbedingungen präpariert.

Das Dispersionsverhalten von Grenzflächendefekten dieser

Proben wurde im Frequenzbereich von 1Hz bis 100kHz

in Akkumulation und Verarmung bestimmt.

In den Frequenzspektren der Proben zeigen sich zwei verschiedene

Zeitkonstanten. Die Auswertung ergibt zwei klar unterscheidbare

Gruppen von Einfangquerschnitten, die sich Defekten mit

unterschiedlicher atomar-chemischer Struktur zuordnen lassen.

Die Gruppe mit den größeren Einfangquerschnitten kann

den intrinsischen Dangling-Bond-Defekten (Si₃≡ Si−),

die Gruppe mit den kleineren Einfangquerschnitten den

extrinsischen Dangling-Bond-Defekten (Si₂O≡ Si−)

zugeordnet werden.