Münster 1999 –
wissenschaftliches Programm
M 25: Symposium „Metallphysikalische Probleme in der Mikroelektronik “
Donnerstag, 25. März 1999, 16:30–17:45, S 8
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16:30 |
M 25.1 |
Effekte von Legierungselementen auf die Elektromigrationseigenschaften von Aluminium — •R. Spolenak, O. Kraft und E. Arzt
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16:45 |
M 25.2 |
Steigerung der Haftung von Metall auf Polymer durch gezieltes Grenzflächendesign — •C. v. Bechtolsheim, V. Zaporojtchenko und F. Faupel
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17:00 |
M 25.3 |
Der Einfluß von Partikelverunreinigungen auf die Korrosion von elektronischen Bauteilen — •M. Unger, M. Stratmann und R. Lobnig
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17:15 |
M 25.4 |
Analyse der Nanokristallisation von dünnen amorphen TaSiN- und TiSiN-Schichten — •C. Pinnow, M. Bicker, S. Schneider, U. Geyer, G. Goerigk und H.-G. Haubold
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17:30 |
M 25.5 |
Anelastische Eigenschaften von Aluminiumschichten auf Silizium bei hohen Temperaturen. — •Ulrich Harms, Frank Klose, Hartmut Neuhäuser, Klaus Fricke und Andreas Schlachetzki
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