Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 16: Anwendungen der HTSL: Hochfrequenz und Elektronik
TT 16.5: Vortrag
Donnerstag, 25. März 1999, 11:30–11:45, F1
Mechanismen des Elektrischen Feld Effektes an Hoch-TC Korngrenzenkontakten — •A. Schmehl, H. Hilgenkamp, B. Goetz, R.R. Schulz, C.W. Schneider und J. Mannhart — Experimentalphysik VI, EKM, Universität Augsburg, D-86135 Augsburg
Umfangreiche Untersuchungen der letzten Jahre haben gezeigt, daß die
Transporteigenschaften von Hoch-TC Korngrenzenkontakten
im wesentlichen durch Versetzungsstrukturen, die d-Wellensymmetrie des
supraleitenden Ordnungsparameters und durch die Verbiegung
der elektronischen Bandstrukturen der Supraleiter bestimmt
werden.
Basierend auf diesem Verständnis wird das Verhalten von Transistoren,
die den elektrischen Feldeffekt an Korngrenzen ausnutzen, analysiert.
Es wird gezeigt, daß für geeignete Probenkonfigurationen der
elektrische Feldeffekt über
einen neuartigen Mechanismus die kritische Stromdichte beeinflussen
kann, welche zusätzlich zur bekannten Änderung der
Ladungsträgerdichte der Kuprate auftritt. Dieser Mechanismus wirkt auf
Korngrenzen, die mit Raumladungszonen behaftet sind.
In solchen Josephsonkontakten kann ein angelegtes elektrisches Feld
über die Änderung der effektiven Abschirmlänge der Korngrenze
die Breite der Raumladungszone und damit den kritischen Strom des
Josephsonkontaktes beeinflussen.