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Münster 1999 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 20: Metall-Isolator-Überg
änge

TT 20.2: Talk

Thursday, March 25, 1999, 15:00–15:15, F2

Der Metall-Isolator-Übergang in amorphem Si1−xNix:
Hatte Mott doch recht?
— •A. Möbius1, C. Frenzel1, R. Thielsch1,2, R. Rosenbaum3, C.J. Adkins4, M. Schreiber5, H.-D. Bauer1, R. Grötzschel6, V. Hoffmann1, T. Krieg1, N. Matz1, H. Vinzelberg1 und M. Witcomb71IFW Dresden — 2FIAOPM Jena — 3Tel Aviv University — 4Cavendish Laboratory Cambridge — 5TU Chemnitz — 6FZ Rossendorf — 7University Witwatersrand

Wir untersuchen den Metall-Isolator-Übergang (MIÜ) in zwei Sätzen amorpher Si1−xNix Filme, hergestellt mittels verschiedener auf Elektronenstrahlverdampfung basierender Verfahren: Verdampfung der Legierung sowie Gradientenabscheidung der Elemente. Die Charakterisierung beinhaltet Elektronenmikroskopie, STM, GDOES und RBS.
Um die mit der Anpassung freier Parameter in gegebenen Formeln verbundenen Vorgaben weitestgehend zu vermeiden, betrachten wir die logarithmische Temperatur-Ableitung der Leitfähigkeit, w = dlnσ/dlnT. Für isolierende Proben weist w(T) ein Minimum auf und wächst für T → 0 an. Sowohl der Minimalwert von w, als auch die entsprechende Temperatur scheinen bei Annäherung an den MIÜ gegen 0 zu streben. Die Analyse dieses Verhaltens zeigt, daß der MIÜ von amorphem Si1−xNix in Übereinstimmung mit Mott’s Hypothese einer minimalen metallischen Leitfähigkeit sehr wahrscheinlich diskontinuierlich ist. Diese Diskontinuität ist jedoch auf T=0 beschränkt, für endliche T ist σ(x) stetig.

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