Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 11: In-situ-Charakterisierung III
DS 11.4: Fachvortrag
Dienstag, 28. März 2000, 10:15–10:30, H31
Chrom auf TiO2(110) – Benetzung und Strukturbildung — •C. Winde1, T. Wagner1, D.A. Bonnell2 und M. Rühle1 — 1Max–Planck–Institut für Metallforschung, Seestraße 92, 70174 Stuttgart. — 2University of Pennsylvania, Dept. of Mat. Sci. & Eng., Philadelphia, USA
Die Sauerstoffaffinität eines Metalls beeinflußt das Benetzungsverhalten auf einer Oxidkeramikoberfläche. Das Benetzungsverhalten bei Abscheidung eines Metalls wird am Modellsystem Cr/TiO2(110) diskutiert. In Abhängigkeit des Reduktiosgrades bilden sich geordnete Defektstrukturen auf der TiO2(110) Oberfläche aus. Hiermit läßt sich der Einfluß der Oberfläche auf das Wachstum studieren.
Die Charakterisierung des Benetzungsverhaltens im Nanometerbereich erfolgt mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie (STM). Elektronische Eigenschaften werden mittels Rastertunnelspektroskopie (STS) untersucht. Zur Bestimmung der Morphologie, der Orientierung und der atomaren Struktur der Grenzfläche wird hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) eingesetzt. Ortsaufgelöste Elektronen-Energieverlustspektroskopie (EELS) dient zur Bestimmung der Bindungsverhältnisse an der Grenzfläche.
Anhand der vorgestellten Ergebnisse von Chrom wird das Benetzungsverhalten auf der TiO2(110)-Oberfläche im Vergleich zu anderen 3d-Übergangsmetallen besprochen.